Ge Wafer Specification

•      •  Growing Method:              VGF
•      •  Orientation:                       (100) +/-0.5 Deg.
•      •  Wafer Size:                       100mm dia x  500 microns  
•      •  Surface Polishing:             Two sides epi polished
•      •  Surface roughness:           RMS or Ra:~ 10 A(By AFM)
•      •  Doping:                              As- Doped
•      •  Conductor type:                 N-type
  
•      •  Resistivity:                         0.173-0.25 ohm.cm (If you would like to measure the resistivity accurately, 
                                                     please order our Portable 4 Probe Resistivity Testing Instrument.)
•      •  Carrier concentration:        0.09x10^17 -1.63x10^17/c.c
•      •  Mobility:                             1660-2940 cm^2.v.s
•      •  EPD:                                  < 500 /cm^2
•      •  Ra(Average Roughness) : < 0.4 nm                      
•      •  Package:                            under 1000 class clean room     

Typical Properties of Ge Crystal

•      •  Structure:                       Cubic, a = 5.6754 A
•      •  Density:                          5.323 g/cm3 at room temperature
•      •  Melting Point:                 937.4 ^oC
•      •  Thermal Conductivity:    640