Ge Wafer Specification

•      •  Growing Method:               VGF
•      •  Orientation:                       (100) +/-0.5 Deg.
•      •  Wafer Size:                        100mm dia x  500 microns  
•      •  Surface Polishing:              One side epi polished
•      •  Surface roughness:            RMS or Ra:~ 10 A(By AFM) 
•      •  Conductor type:                  N-type
  
•      •  Resistivity:                           0.088-0.183 ohm.cm (If you would like to measure the resistivity accurately, 
                                                       please order our Portable 4 Probe Resistivity Testing Instrument.)
•      •  Carrier concentration:          (0.78-3.02)x10^16/c.c
•      •  Mobility:                                2350-3010 cm^2.v.s
•      •  EPD:                                    < 500 /cm^2
•      •  Ra(Average Roughness) :   < 0.4 nm                      
•      •  Package:                              under 1000 class clean room     
  
  

Typical Properties of Ge Crystal

•      •  Structure:                       Cubic, a = 5.6754 A
•      •  Density:                          5.323 g/cm3 at room temperature
•      •  Melting Point:                 937.4 ^oC
•      •  Thermal Conductivity:    640