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InSb Ge-doped

 
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InSb (100) 5x5x 0.45 mm, P type, Ge doped, 1 side polished

InSb (100) 5x5x 0.45 mm, P type, Ge doped, 1 side polished

기본 정보
Product Name InSb (100) 5x5x 0.45 mm, P type, Ge doped, 1 side polished
Sale Price Call for Price
Product Code ISGea0505045S1
Quantity 수량증가수량감소
상품 옵션
 

5x5x0.45 mm  InSb  wafer   (P type, Ge doped)

  •      •   Size:                     10x10x0.45 mm
  •      •  Orientation            <100> +/-0.5o  with two reference flats
  •      •   Polishing:             one-side side polishd ( back side etched )
  •      •  Packing:                Sealed under nitrogen with single wafer comtainer  in 1000 class clean room

Properties

  •      •  Growth method        LEC
  •      •  Orientation               (100)  +/- 0.5o
  •      •  Orientation Flat                                                                
  •      •  Doping                     Ge ndoped
  •      •  Conductivity type     P type
  •      •  Carrier Concentration    (0.05- 0.50)E17@77K
 
  

    Working days : Monday to Saturday

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