Ge Wafer Specification

•      •  Growing Method:                VGF
•      •  Orientation:                        (100) +/-0.5 Deg.
•      •  Wafer Size:                         100(+/_0.4) mm  dia x  175(+/_25) microns
  
•      •  Surface Polishing:               Both  sides  polished
•      •  Surface roughness:             < 8 A ( by AFM)
•      •  Doping:                               Ga Doped
•      •  Conductor type:                   P-type
•      •  Resistivity:                           0.1-0.182 ohm.cm (If you would like to measure the resistivity accurately, 
                                                       please order our Portable 4 Probe Resistivity Testing Instrument.)
•      •  Carrier Concentration:         (1.88-4.13) x10^16
  
•      •  Mobility:                               1520-1830 cm^2/v.s.
  
•      •  EPD:                                    <=500 /cm^2 
•      •  Ra(Average Roughness) :   < 0.4 nm
•      •  Package:                              under 1000 class clean room      

Typical Properties of Ge Crystal

•      •  Structure:                       Cubic, a = 5.6754 A
•      •  Density:                          5.323 g/cm3 at room temperature
•      •  Melting Point:                 937.4 ^oC
•      •  Thermal Conductivity:    640