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InSb Ge-doped

 
  2. Crystals Substrates: A-Z
  3. InSb
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InSb (100) 10x10x 0.45 mm, P type, Ge doped, 1 side polished

InSb (100) 10x10x 0.45 mm, P type, Ge doped, 1 side polished

기본 정보
Product Name InSb (100) 10x10x 0.45 mm, P type, Ge doped, 1 side polished
Sale Price Call for Price
Product Code ISGea101004S1
Quantity 수량증가수량감소
상품 옵션
 
  •  10x10x0.45 mm InSb wafer (P type, Ge doped)
  • Size
  • 10 x 10 x 0.45 mm
  • Orientation
  • <100> +/-0.2 o with two reference flats
  • Polishing
  • one-side side polishd ( back side etched )
  • Packing
  • Sealed under nitrogen with single wafer comtainer in 1000 class clean room
  •  Properties
  • Growth method
  • LEC
  • Orientation
  • (100) +/- 0.2 o
  • Orientation Flat
  • Doping
  • Ge ndoped
  • Conductivity type
  • P type
  • Carrier Concentration
  • (0.05 - 0.50)E17@77K
 
  

    Working days : Monday to Saturday

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