MTI KOREA Battery

 
 
 
 
 
 
 

Crystal & Material

 
 
 
 
 

Thermal Processing

 
 
 
 
 
 
 
 
 

Plasma System

 

Microspheres-Nanospheres

 
 
 
 

Sample Preparation & Analysis

 
 
 
 
 

Material Analysis

 
 
 

Other Lab Equipment

 
 
 
 
 

Sample Handling

 
 
 
 

Knowledge Center
 

GaAs(111)

 
  2. Crystals Substrates: A-Z
  3. GaAs
  4. GaAs(111)
 
 
GaAs, Growing Method: VGF ,(111)B , Zn-doped, P-type, 2" dia x 0.5mm, 2sp

GaAs, Growing Method: VGF ,(111)B , Zn-doped, P-type, 2" dia x 0.5mm, 2sp

기본 정보
Product Name GaAs, Growing Method: VGF ,(111)B , Zn-doped, P-type, 2" dia x 0.5mm, 2sp
Sale Price Call for Price
Product Code GAZnc50D05C2-VGF-US
Quantity 수량증가수량감소
상품 옵션
 
  •  GaAs single crystal wafer
  • Growing Method
  • VGF
  • Orientation
  • (111)B
  • Size
  • 2" dia x 0.5 mm
  • Polishing
  • two sides polished
  • Doping
  • Zn-doped,
  • Conductor type
  • S-C-P
  • Resistivity
  • (8.8 - 9.8) E-3 ohm.cm
  • Carrier Concentration
  • (7.2 - 8.5) E18 cm-3
  • Mobility
  • 84 - 90 cm2/V.S
  • Ra(Average Roughness)
  • < 0.4 nm
  • Note
  • EPI ready wafers
 
  

    Working days : Monday to Saturday

법인명(상호) : 엠티아이코리아 코퍼레이션(주) 대표자(성명) : 이청규 사업자 등록번호 안내 : [642-81-02515]통신판매업 신고 기타
전화 : 02-498-8820 팩스 : 02-498-8120 주소 : 04545 서울특별시 중구 청계천로 160 세운청계상가 518호
개인정보보호책임자 : 이청규(mti@mtikorea.co.kr) Contact : mti@mtikorea.co.kr 사업자 계좌번호 : 신한은행 140-013-598791 (예금주: 엠티아이코리아코퍼레이션(주))

엠티아이코리아 영남지사 (영남지사) 전화: 053-381-1998       팩스: 053-381-2009
Copyright © 2011 MTIKOREA. All rights reserved.